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加工碳化硅设备
加工碳化硅设备
2019-06-13T23:06:57+00:00
技术碳化硅产业链条核心：外延技术 知乎 知乎专栏
碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一 针对碳化硅单晶衬底加工技术，本文综述了碳化硅单晶切片、薄化与抛光工艺段的研究现状，分析对比了切片、薄化、抛光加工工艺机理，指出了加工过程中的关键影响因素和未 碳化硅单晶衬底加工技术现状及发展趋势 知乎11月，宇晶股份在接受机构调研时称，目前公司已实现碳化硅材料的切、磨、抛加工设备的全覆盖，因碳化硅材料的硬度高，公司线切割机采用砂浆线的方式切割碳化硅，已实现小 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”腾讯新闻
首片国产 6 英寸碳化硅晶圆发布，有哪些工艺设备？有
2020年10月21日 1碳化硅晶体生长及加工关键设备 主要包括: 碳化硅粉料合成设备 用于制备生长碳化硅单晶所需的碳化硅粉料,高质量的碳化硅粉料在后续的碳化硅生长中对晶体质量有重要作用。 主要技术难点：高温高真 特别是碳化硅外延设备，出货量已经做到了国内前列；在先进制程领域，公司在12英寸减薄及外延（常压外延、减压外延）、LPCVD等设备进行布局。此外，还有半导体材料，零部 晶盛机电：公司碳化硅外延设备出货量处于国内前列腾讯新闻浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院杭州乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）近期经过系列技术攻关，在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底 成果上新！8英寸导电型碳化硅研制获得成功
碳化硅晶片加工过程及难点 知乎 知乎专栏
2022年1月21日 3、晶锭加工：将制得的碳化硅晶锭使用X射线单晶定向仪进行定向，之后磨平、滚磨，加工成标准直径尺寸的碳化硅晶体。 4、晶体切割：使用多线切割设备，将碳 2023年1月17日 使用光学显微镜、 X 射线衍射仪、原子力显微镜、非接触电阻率测试仪、表面平整度测试仪、表面缺陷综合测试仪等仪器设备，检测碳化硅晶片的微管密度、结晶 【SiC 碳化硅加工工艺流程】 知乎 知乎专栏2023年5月25日 碳化硅 碳化硅烘干设备节能减排新工艺是利用微波能技术对碳化硅微粉进行烘干，充分利用微波的穿透性，使水分子在磁场内的转换正负两极方向，从而让水分 碳化硅烘干设备 采用现代微波干燥技术 知乎
晶盛机电：公司碳化硅外延设备出货量处于国内前列腾讯新闻
特别是碳化硅外延设备，出货量已经做到了国内前列；在先进制程领域，公司在12英寸减薄及外延（常压外延、减压外延）、LPCVD等设备进行布局。此外，还有半导体材料，零部件，辅材耗材等相关的研发与布局。 对于碳化硅衬底难度，晶盛机电表示，“在材料端，设备与工艺是分不开的，工艺的 为制作 功率器件， 需要在碳化硅衬底上生长一层或几层碳化硅薄膜。 碳化硅有很多种同质异构体，为保证高品质外延层的制备，在外延生长中需要精确控制以避免引入其他晶型。 碳化硅外延生长方法与晶体生长方法相近， 碳化硅功率器件之三 知乎 知乎专栏浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院杭州乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）近期经过系列技术攻关，在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底制备方面取得突破，成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片，成功跻身8英寸 成果上新！8英寸导电型碳化硅研制获得成功
碳化硅降本、增量，路在何方？电子工程专辑
2 小时之前 碳化硅降本、增量，路在何方？ 提起碳化硅（SiC）市场的走势，不得不从3月的特斯拉投资者大会说起，当时马斯克说要在未来电动汽车中将碳化硅用量减少75%，此言一出，引得资本市场一片哗然；风声过后，我们还是要思考，碳化硅行业如何应对马斯克提出的 2022年10月28日 碳化硅晶圆是一种由碳和硅两种元素组成的化合物半导体单晶材料，具备禁带宽度大、热导率高、临界击穿场强高、电子饱和漂移速率高等特点，可有效突破传统硅基半导体器件及其材料的物理极限，开 碳化硅单晶衬底切、磨、抛材料整体解决方案发展加 特点 结构 性能 特点 在高达1400℃的温度下，碳化硅甚至仍能保持其强度。 这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。 因其化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。 返回页顶 结构 机加工尺寸 碳化硅精密陶瓷（高级陶瓷）京瓷 KYOCERA
碳化硅烘干设备 采用现代微波干燥技术 知乎
2023年5月25日 碳化硅 碳化硅烘干设备节能减排新工艺是利用微波能技术对碳化硅微粉进行烘干，充分利用微波的穿透性，使水分子在磁场内的转换正负两极方向，从而让水分子与分子间高频的摩擦升温，让水分子从物料中由外快速析出。2022年12月15日 环宇数控9月在互动平台上表示，公司作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材料的磨削和抛光等工序。 深科达也表示，公司正在研发的芯片划片机可以应用于碳化硅。 在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”2022年2月28日 然而，碳化硅材料硬度与金刚石相近，现有的衬底加工工艺切割速度慢、晶体与切割线损耗大，每完成一片350μm厚的标准晶圆加工，就会因线锯切割 中电科二所在碳化硅激光剥离技术方面取得进展—新闻—科学网
专家介绍首届全国碳化硅先进复合材料产业发展高端论坛暨产品展
2023年5月29日 专家介绍首届全国碳化硅先进复合材料产业发展高端论坛暨产品展示会 16:40 随着新能源汽车以及各种高性能武器装备等应用端需求量的爆发式增长，碳化硅产业链的产能争夺战已然打响。 碳化硅材料以其优良的耐高温、抗冲击、比强度比 石英坩埚 磁性流体 热电半导体产品 功率半导体基板 硅产品 硬质合金锯片 外协加工 商用清洗设备 设备关联产品 真空产品 石英产品 陶瓷产品 气相沉积碳化硅产品（CVDSiC) 硅加工件 电子束蒸发枪 电子束蒸发镀膜装置 半导 Ferrotec全球 气相沉积碳化硅产品（CVDSiC)2022年2月28日 然而，碳化硅材料硬度与金刚石相近，现有的衬底加工工艺切割速度慢、晶体与切割线损耗大，每完成一片350μm厚的标准晶圆加工，就会因线锯切割 中电科二所在碳化硅激光剥离技术方面取得进展—新闻—科学网
晶盛机电研究报告：晶体生长设备龙头，碳化硅培育增长新曲线
2022年4月2日 其制造工艺可分为多晶硅提纯、单晶 硅生长以及硅片成型三大环节，其中晶体硅生长设备直接决定了后续硅片生产的效率和质 量，是硅片生产过程中的核心设备。 常用的单晶硅制备方法包括直拉法（CZ 法）和区熔法（FZ 法）两类，其中直拉法是 最常用的制备工艺。 将高纯度的多晶硅在石英坩埚中进行高温熔化，然后将单晶硅籽晶插 入熔体中 2022年5月4日 一种是水导激光加工（Laser MicroJet，LMJ） [1] ，将激光耦合进水流，利用水的流动带走热量和切屑，同时可以达到更高深孔比的加工效果，瑞士Synova公司在这方面做了很多卓越的工作。 这部分可以关注哈工大杨立军老师、沈阳自动化所的工作。 2 光楔旋切法。 一般来说激光从表面到内部的切割过程，因为激光是锥形的，想要切割厚的材 用激光切割碳化硅晶棒这条路是否走得通？ 知乎特别是碳化硅外延设备，出货量已经做到了国内前列；在先进制程领域，公司在12英寸减薄及外延（常压外延、减压外延）、LPCVD等设备进行布局。此外，还有半导体材料，零部件，辅材耗材等相关的研发与布局。 对于碳化硅衬底难度，晶盛机电表示，“在材料端，设备与工艺是分不开的，工艺的 晶盛机电：公司碳化硅外延设备出货量处于国内前列腾讯新闻
成果上新！8英寸导电型碳化硅研制获得成功
浙江大学杭州国际科创中心（简称科创中心）先进半导体研究院杭州乾晶半导体联合实验室（简称联合实验室）近期经过系列技术攻关，在大尺寸碳化硅（SiC）单晶生长及其衬底制备方面取得突破，成功生长出厚度达27毫米的8英寸n型碳化硅单晶锭，并加工获得了8英寸碳化硅衬底片，成功跻身8英寸 2022年12月15日 环宇数控9月在互动平台上表示，公司作为数控磨削设备的专业提供商，有可用于以碳化硅为代表的半导体材料加工的磨削和研磨抛光设备，主要应用在半导体材料的磨削和抛光等工序。 深科达也表示，公司正在研发的芯片划片机可以应用于碳化硅。 在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”2 小时之前 碳化硅降本、增量，路在何方？ 提起碳化硅（SiC）市场的走势，不得不从3月的特斯拉投资者大会说起，当时马斯克说要在未来电动汽车中将碳化硅用量减少75%，此言一出，引得资本市场一片哗然；风声过后，我们还是要思考，碳化硅行业如何应对马斯克提出的 碳化硅降本、增量，路在何方？电子工程专辑
碳化硅烘干设备 采用现代微波干燥技术 知乎
2023年5月25日 碳化硅 碳化硅烘干设备节能减排新工艺是利用微波能技术对碳化硅微粉进行烘干，充分利用微波的穿透性，使水分子在磁场内的转换正负两极方向，从而让水分子与分子间高频的摩擦升温，让水分子从物料中由外快速析出。2022年8月27日 碳化硅晶锭及其加工设备的制作方法 1本实用新型涉及一种碳化硅晶锭及其加工设备，特别是涉及一种能有效降低损伤率的碳化硅晶锭及其加工设备。 2碳化硅 (sic)作为第三代半导体材料的核心，具有宽能隙、高导热率、高临界击穿电场、高电子饱和迁 碳化硅晶锭及其加工设备的制作方法 X技术网